Новое соединение, полученное учеными, может служить как электронным, так и дырочным полупроводником, причем изменение свойств материала вызывается простым повышением температуры.
В будущем новое соединение может быть использовано для создания элементов памяти, однако сами исследователи надеются, что оно найдет более широкое применение. Раньше для конструирования транзисторов, используемых в интегральных схемах, требовалось два различных вещества. Теперь появилась реальная возможность заменить их одним универсальным материалом.